O MJE253G é um transistor de junção bipolar (BJT) NPN (Negativo-Positivo-Negativo) fabricado pela ON Semiconductor. O "TO-225-3" refere-se ao seu tipo de embalagem, que é uma pequena embalagem de metal com três fios (pinos). Este transistor é comumente usado para fins de amplificação e comutação em circuitos eletrônicos.

Aqui estão algumas especificações principais para o transistor MJE253G:

• Tensão base do coletor (V_CBO): Normalmente 100 Volts.
• Tensão Coletor-Emissor (V_CEO): Normalmente 100 Volts.
• Tensão base do emissor (V_EBO): Normalmente 5 Volts.
• Corrente do coletor (I_C): A corrente máxima contínua do coletor varia e você deve verificar a folha de dados para obter o valor específico, mas normalmente está na faixa de alguns amperes.
• Dissipação de energia (P_D): A dissipação máxima de energia (quanto calor pode suportar) também irá variar; novamente, consulte a folha de dados para obter o valor exato.

Observe que esses valores são típicos e você deve consultar a folha de dados fornecida pela ON Semiconductor para obter as características elétricas precisas e as diretrizes de uso do transistor MJE253G. A ficha técnica fornecerá informações sobre pinagem, características elétricas, condições operacionais recomendadas e notas de aplicação, essenciais para o uso eficaz do transistor em seus circuitos.