CIRCUITO INTEGRADO M28F411-100N1 MEMORIA FLASH 512KX8 SMD TSOP-40
1 Megabit (64K x 16, Chip Erase) FLASH MEMORY
TEMPO DE ACESSO RÁPIDO: 90ns BAIXO CONSUMO DE ENERGIA - Corrente de espera: 100µA Max 10.000 ERASE / CICLOS DE PROGRAMA VOLTAGEM DE PROGRAMAÇÃO DE 12V TEMPO DE PROGRAMAÇÃO TÍPICO BYTE 10µs (PRESTO F ALGORITMO) CHIP ERASE ELÉTRICO em 1s de alcance APAGAR INTEGRADO / PARADA DE PROGRAMAS CRONÔMETRO PACOTES COMPATÍVEIS OTP e PINOUTS para PLCC44 e TSOP40 FAIXAS DE TEMPERATURA ESTENDIDAS