O IRF8010 é de fato um MOSFET de potência produzido pela International Rectifier (IR), que agora faz parte da Infineon Technologies. Aqui estão as principais especificações do IRF8010 TO-220 IR MOSFET:

1. Número da peça: IRF8010
2. Tipo de pacote: TO-220
3. Classificação de tensão (Vds): 100 V (esta é a tensão máxima que o MOSFET pode suportar entre os terminais Dreno e Fonte).
4. Corrente de drenagem contínua (Id): 80A (esta é a corrente contínua máxima que pode fluir através do MOSFET quando ele está totalmente ligado).
5. Tensão limite do portão (Vgs (th)): Normalmente em torno de 2,0 V a 4,0 V (esta é a tensão na qual o MOSFET começa a ligar).
6. Resistência no estado (Rds(on)): Normalmente especificada em cerca de 8 miliohms (mO) a 10 mO (isso indica quanta resistência o MOSFET tem quando está totalmente ligado. Quanto menor o Rds(on), melhor o MOSFET conduz .)
7. Tensão Gate-Source (Vgs): +/- 20V (Esta é a tensão máxima que pode ser aplicada entre os terminais Gate e Source.)
8. Folha de dados: Você pode consultar a folha de dados fornecida pela Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier) ??para obter informações mais detalhadas sobre suas características e especificações elétricas.

Observe que as características elétricas específicas e os parâmetros de desempenho de um MOSFET podem variar ligeiramente entre fabricantes e lotes de produção. Sempre consulte a folha de dados para obter informações mais precisas e atualizadas sobre um MOSFET específico e siga as diretrizes recomendadas para manuseio e uso de componentes eletrônicos.

MOSFET IRF8010 TO-220 100V 80A

 Folha de dados do IRF8010PBF

Atributos do produto	Selecionar tudo
Categorias	Produtos de semicondutores discretos
	Transistores- FETs, MOSFETs- Single
Fabricante	IR
Series	HEXFET
Embalagem	Tubo
Status da Peça	Ativo
Tipo FET	Canal n
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (máx.)	± 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3830pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	260 W (Tc)
Temperatura de operação	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Tipo de montagem	Através do orifício
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3