TRANSISTOR IRF3205 TO-220 IR

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Informações do Produto


TRANSISTOR IRF3205PBF TO-220 55V 98A IR

O IRF3205 é um transistor MOSFET de potência com pacote TO-220. TO-220 é um tipo de pacote comum para transistores de potência discretos. O “IR” no número da peça geralmente indica que se trata de um produto da International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies), empresa especializada em semicondutores de potência.

Aqui estão algumas informações sobre o IRF3205:

  1. Número da peça: IRF3205
  2. Tipo de pacote: TO-220
  3. Tipo de transistor: MOSFET de canal N (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico)
  4. Classificação de tensão (Vds): Normalmente classificada para 55 volts
  5. Classificação atual (Id): normalmente classificada para 98 amperes
  6. Rds(on): Resistência no estado quando o transistor está totalmente condutor, normalmente baixo para aplicações de energia

O IRF3205 é comumente usado em aplicações onde é necessária comutação de alta potência, como controle de motores, fontes de alimentação e outras aplicações de eletrônica de potência. É conhecido por sua capacidade de lidar com altos níveis de corrente e tensão com eficiência.

Se você planeja usar o IRF3205 em um circuito ou aplicação específica, certifique-se de consultar a folha de dados do transistor para obter características elétricas e térmicas precisas, bem como condições de operação e uso recomendados.


DESCRIÇÃO 2

Esse transistor IRF3205 mosfet canal N de alta potencia, é muito utilizado, vou citar alguns equipamentos que funciona.

 

Transistor IRF3205 Original | Mais forte que o IRFZ44N

 

Características

  • fonte chaveada
  • inversor de voltagem
  • fonte de amplificador automotivo
  • controlador de motor PWM
  • acionamento de airbag
  • relé eletronico
  • comutação eletronica
  • chave eletrônica
  • no-break e outros

 

Transistor Mosfet

A palavra “metal” no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal.

Os chips modernos usam comportas de polissilício, mas ainda são chamados de MOSFETs. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOS ou PMOS.

Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs.

Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs.O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido.

 

Simbolo de esquema elétrico de um MOSFET

Existem também modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito úteis e com grande utilização na indústria eletrônica.

INFORMAÇÃO ADICIONAL
PESO 0.050 kg
DIMENSÕES 16 × 11 × 7 cm
 

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