DESCRIÇÃO
RD15HVF1 é um transistor tipo FET MOS projetado especificamente para aplicações em amplificadores de potência alta de VHF / UHF.
CARACTERÍSTICAS
alta potência e alta Gain: Pout> 15W, Gp> 14dB @ Vdd = 12,5 V, f = 175MHz Pout> 15W, Gp> 7 dB @ Vdd = 12,5 V, f = 520MHz High Efficiency: 60% tip. em VHF Banda Alta Eficiência: 55% tip. em UHF
APLICAÇÃO
Para a fase de amplificadores de alta potência em VHF / UHF Banda aparelhos de rádio móvel de saída.
Compatível com RoHS
RD15HVF1-101 é um produto compatível com RoHS. RoHS é indicar pela letra "G" após a marcação do lote. Este produto inclui o Chumbo em soldas de alta temperatura de fusão. No entanto, é aplicável às seguintes exceções do Directions RoHS.
1.Lead em soldas de alta temperatura de fusão (ligas de solda ietin-chumbo com mais than85% de chumbo).
RD15 - Transistor RD15HVF1, RF Power Amplifiers Silicon VHF/UHF High Power MOSFET broadcast transmitter,15W,12,5V - 3Pin TO-220
Mitsubishi Electric
RD15HVF1 -
Transistor MOS FET 15 watt 175 MHz 12,5 V Mitsubishi
RD15HVF1 Silicon RF Power MOS FET - TO220
RD15HVF1 é um transistor MOS tipo FET especificamente
projetado para amplificadores de alta potência VHF / UHF
175MHz/520MHz, 15W